এর দক্ষতা উন্নত করতে সৌর প্যানেল , ওপেন-সার্কিট ভোল্টেজ Uoc, শর্ট-সার্কিট কারেন্ট ISC এবং ফিল ফ্যাক্টর FF বাড়াতে হবে। এই তিনটি কারণ প্রায়ই পারস্পরিকভাবে সংযত হয়। যদি তাদের একটিকে একতরফাভাবে বাড়ানো হয়, তবে এটি অন্যটিকে হ্রাস করতে পারে, যাতে সামগ্রিক দক্ষতা উন্নত হয় না বরং হ্রাস পায়। অতএব, উপকরণ নির্বাচন এবং নকশা প্রসেস করার সময় এটি অবশ্যই বিবেচনায় নেওয়া উচিত এবং তিনটি কারণের পণ্যকে সর্বাধিক করার জন্য প্রচেষ্টা করা উচিত।

ওপেন সার্কিট ভোল্টেজ UOC শক্তি ব্যান্ডউইথ বৃদ্ধির সাথে বৃদ্ধি পায়, যেমন, কিন্তু অন্যদিকে, শক্তি ব্যান্ডউইথ বৃদ্ধির সাথে শর্ট সার্কিট কারেন্টের ঘনত্ব হ্রাস পায়। ফলস্বরূপ, একটি নির্দিষ্ট উদাহারণে সৌর কোষের দক্ষতার শীর্ষে ঘটতে পারে বলে আশা করা যায়। সৌর কোষ তৈরি করতে 1.2 এবং 1.6 eV-এর মধ্যে যেমন মান সহ উপকরণ ব্যবহার করে সর্বোচ্চ দক্ষতা অর্জন করা হবে বলে আশা করা হচ্ছে। ডাইরেক্ট ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টরগুলি পাতলা-ফিল্ম ব্যাটারির জন্য পছন্দনীয় কারণ তারা পৃষ্ঠের কাছাকাছি ফোটন শোষণ করে।

তাপমাত্রা বৃদ্ধির সাথে সাথে ফোটনের বিচ্ছুরণ দৈর্ঘ্য সামান্য বৃদ্ধি পায়, তাই তাপমাত্রা বৃদ্ধির সাথে সাথে আলোক উৎপন্ন কারেন্টও বৃদ্ধি পায়, কিন্তু তাপমাত্রা বৃদ্ধির সাথে সাথে UOC তীব্রভাবে হ্রাস পায়। ফিল ফ্যাক্টর হ্রাস পায়, তাই ক্রমবর্ধমান তাপমাত্রার সাথে রূপান্তর দক্ষতা হ্রাস পায়। বিকিরণ বৃদ্ধির সাথে সাথে, শর্ট-সার্কিট কারেন্ট রৈখিকভাবে বৃদ্ধি পায় এবং সর্বোচ্চ শক্তি ক্রমাগত বৃদ্ধি পায়। একটি সৌর কোষে সূর্যালোক ফোকাস করা একটি ছোট সৌর কোষকে প্রচুর পরিমাণে বিদ্যুৎ উৎপন্ন করতে দেয়। আরেকটি কারণ যা UOC-তে উল্লেখযোগ্য প্রভাব ফেলে তা হল সেমিকন্ডাক্টর ডোপিং ঘনত্ব। ডোপিংয়ের ঘনত্ব যত বেশি, UOC তত বেশি। যাইহোক, যখন সিলিকনে অপবিত্রতার ঘনত্ব 1018/cm3 এর চেয়ে বেশি হয়, তখন একে উচ্চ ডোপিং বলা হয়। উচ্চ ডোপিং দ্বারা সৃষ্ট ব্যান্ড ব্যবধান সংকোচন, অশুদ্ধতা সম্পূর্ণরূপে আয়নিত করা যায় না এবং সংখ্যালঘু বাহকদের জীবনকাল হ্রাস পায়, ইত্যাদিকে সমষ্টিগতভাবে উচ্চ ডোপিং প্রভাব বলা হয়, এবং এড়ানো উচিত।