সৌর কোষের উত্পাদন প্রধানত অর্ধপরিবাহী পদার্থের উপর ভিত্তি করে। এর কাজের নীতি হল আলোক শক্তি শোষণ করতে এবং আলোক বৈদ্যুতিক রূপান্তর প্রতিক্রিয়া তৈরি করতে ফটোইলেকট্রিক উপকরণ ব্যবহার করা। ব্যবহৃত বিভিন্ন উপকরণ অনুসারে, সৌর কোষগুলিকে সিলিকন সৌর কোষে ভাগ করা যায়, অজৈব লবণ যেমন আর্সেনিক গ্যালিয়াম III-V যৌগ, ক্যাডমিয়াম সালফাইড, কপার ইন্ডিয়াম সেলেনিয়াম এবং অন্যান্য বহু-উপাদান যৌগ উপাদান হিসাবে, বৃহৎ সৌর কোষগুলি কার্যকরী থেকে প্রস্তুত করা হয়। পলিমার উপকরণ, ন্যানোক্রিস্টালাইন সৌর কোষ, ইত্যাদি

সাধারণত, স্ফটিক সিলিকন সৌর প্যানেল 350-450 μm বেধ সহ উচ্চ-মানের সিলিকন ওয়েফারগুলিতে তৈরি করা হয়। এই সিলিকন ওয়েফার টানা বা উপকরণ সংরক্ষণ ঢালা হয়. বর্তমানে, পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন পাতলা-ফিল্ম কোষগুলি রাসায়নিক বাষ্প জমার পদ্ধতি দ্বারা প্রস্তুত করা হয়, যার মধ্যে রয়েছে নিম্ন-চাপের রাসায়নিক বাষ্প জমা (LPCVD) এবং প্লাজমা বর্ধিত রাসায়নিক বাষ্প জমা (PECVD) প্রক্রিয়া। এছাড়াও, লিকুইড ফেজ এপিটাক্সি (এলপিপিই) এবং স্পাটার ডিপোজিশন পদ্ধতিগুলিও পলিসিলিকন পাতলা-ফিল্ম কোষগুলি তৈরি করতে ব্যবহার করা যেতে পারে।

পুনঃক্রিস্টালাইজেশন প্রক্রিয়া ছাড়াও, পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন পাতলা ফিল্ম ব্যাটারি মোনোক্রিস্টালাইন সিলিকন সৌর কোষ প্রস্তুত করার জন্য প্রায় সমস্ত প্রযুক্তি গ্রহণ করে, যাতে এইভাবে প্রস্তুত সৌর কোষগুলির রূপান্তর দক্ষতা স্পষ্টতই উন্নত হয়। ঢালাই সিলিকন ingots থেকে sawed.